Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
40A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
25mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
50W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
4.5nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22V
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální pracovní teplota
175°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Höhe
0.95mm
Länge
6.2mm
Normy/schválení
No
Breite
5.1mm
Počet prvků na čip
1
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 10,58
€ 1,058 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 10,58
€ 1,058 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,058 | € 10,58 |
| 100 - 490 | € 0,706 | € 7,06 |
| 500 - 990 | € 0,578 | € 5,78 |
| 1000 - 2990 | € 0,571 | € 5,71 |
| 3000+ | € 0,564 | € 5,64 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
40A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
25mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
50W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
4.5nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22V
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální pracovní teplota
175°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Höhe
0.95mm
Länge
6.2mm
Normy/schválení
No
Breite
5.1mm
Počet prvků na čip
1
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
