Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální napětí na zdroji Vds
65V
Gehäusegröße
B4E
Řada
RF2L
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
4
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální provozní teplota
200°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Délka
27.94mm
Výška
9.4mm
Normy/schválení
RoHS
Typický výkonový zisk
14dB
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics RF2L16180CB4 is 180 W, 28 V internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base station and ISM applications with frequencies from 1300 to 1600 MHz. Four leads can be configured as single ended, 180 degree push-pull or 90 degree hybrid or Doherty with proper external matching network.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Štandardný
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální napětí na zdroji Vds
65V
Gehäusegröße
B4E
Řada
RF2L
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
4
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální provozní teplota
200°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Délka
27.94mm
Výška
9.4mm
Normy/schválení
RoHS
Typický výkonový zisk
14dB
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics RF2L16180CB4 is 180 W, 28 V internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base station and ISM applications with frequencies from 1300 to 1600 MHz. Four leads can be configured as single ended, 180 degree push-pull or 90 degree hybrid or Doherty with proper external matching network.