Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
Napájecí modul SiC
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
16A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Řada
SCT
Gehäusegröße
Hip-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.52Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Přímé napětí Vf
3.6V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
45nC
Maximální ztrátový výkon Pd
153W
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální pracovní teplota
200°C
Normy/schválení
No
Länge
10.4mm
Höhe
15.8mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 379,09
€ 379,09 1 Tube of 30 (bez DPH)
1
€ 379,09
€ 379,09 1 Tube of 30 (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
Napájecí modul SiC
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
16A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Řada
SCT
Gehäusegröße
Hip-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.52Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Přímé napětí Vf
3.6V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
45nC
Maximální ztrátový výkon Pd
153W
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální pracovní teplota
200°C
Normy/schválení
No
Länge
10.4mm
Höhe
15.8mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.