Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOIC
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
2.5W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
17nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
1.65mm
Délka
5mm
Normy/schválení
ANSI-ESD S20.20:2021
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 7,27
€ 0,727 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 7,27
€ 0,727 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 0,727 | € 7,27 |
| 20+ | € 0,691 | € 6,91 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOIC
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
2.5W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
17nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
1.65mm
Délka
5mm
Normy/schválení
ANSI-ESD S20.20:2021
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku