Polovodičové relé 0,1 A AC DPST MOSFET 400 V
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0,1 A
Typ montáže
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
400 V
Minimální zatěžovací napětí
-400 V.
Minimální řídicí napětí
0 V
Maximální řídicí napětí
0.8 V
Typ spínání
AC
Rozsah řídicího napětí
0 → 0,8 V
Konfigurace kontaktů
DPST
Typ svorky
PCB Pin
Výstupní zařízení
MOSFET
Styl pouzdra
DIP8
Maximální doba zapnutí
5 ms
Rozsah zatěžovacího napětí
-400 → 400V
Abmessungen
9.65 x 6.35 x 3.56мм
Hloubka
6.35мм
Výška
3.56мм
Svodový proud ve vypnutém stavu
1 μA
Länge
9.65мм
Rozsah provozních teplot
-40 → +85°C
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.
Optocouplers, Avago Technologies
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomMaximální zatěžovací proud
0,1 A
Typ montáže
PCB Mount
Maximální zatěžovací napětí
400 V
Minimální zatěžovací napětí
-400 V.
Minimální řídicí napětí
0 V
Maximální řídicí napětí
0.8 V
Typ spínání
AC
Rozsah řídicího napětí
0 → 0,8 V
Konfigurace kontaktů
DPST
Typ svorky
PCB Pin
Výstupní zařízení
MOSFET
Styl pouzdra
DIP8
Maximální doba zapnutí
5 ms
Rozsah zatěžovacího napětí
-400 → 400V
Abmessungen
9.65 x 6.35 x 3.56мм
Hloubka
6.35мм
Výška
3.56мм
Svodový proud ve vypnutém stavu
1 μA
Länge
9.65мм
Rozsah provozních teplot
-40 → +85°C
Podrobnosti o výrobku
Polovodičové relé (Photo MOSFET), řada ASR, Avago Technologies
Řada mikrorelé polovodičových fotografických tranzistorů MOSFET společnosti Avago Technologies se skládá z diody vyzařující infračervené světlo (LED) a hlásiče, který se skládá z vysokorychlostního fotovoltaického pole a obvodů ovladače pro zapnutí a vypnutí dvou diskrétních vysokonapěťových tranzistorů MOSFET.