Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
IsocomTyp produktu
Optocoupler
Typ montáže
Through Hole
Maximální propustné napětí
1.5V
Počet kanálů
1
Balení
Tape & Reel
Počet kolíků
6
Gehäusegröße
DIP
Typ vstupního proudu
AC
Typický čas náběhu
2μs
Maximální vstupní proud
60mA
Izolační napětí
5300Vrms
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální pracovní teplota
100°C
Typický čas poklesu
2μs
Normy/schválení
EN60950 (Nemko P01102464), CECC 00802, UL (E91231), VDE 0884
Řada
MOC
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
The MOC8101/2/3/4/G series are constructed from a Gallium Arsenide Infrared Emitting Diode optically coupled to a monolithic silicon photo transistor detector. They have been designed and specified to meet the requirements of switchmode power supplies and other applications requiring very closely matched current transfer ratios (CTR), linearity and stable performance over the temperature range. The internal base-to-pin 6 connection has been eliminated for improved noise immunity. Surface Mount Option Available.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 17,82
€ 0,274 Each (In a Tube of 65) (bez DPH)
65
€ 17,82
€ 0,274 Each (In a Tube of 65) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
65
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 65 - 65 | € 0,274 | € 17,82 |
| 130 - 260 | € 0,23 | € 14,93 |
| 325+ | € 0,212 | € 13,81 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
IsocomTyp produktu
Optocoupler
Typ montáže
Through Hole
Maximální propustné napětí
1.5V
Počet kanálů
1
Balení
Tape & Reel
Počet kolíků
6
Gehäusegröße
DIP
Typ vstupního proudu
AC
Typický čas náběhu
2μs
Maximální vstupní proud
60mA
Izolační napětí
5300Vrms
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální pracovní teplota
100°C
Typický čas poklesu
2μs
Normy/schválení
EN60950 (Nemko P01102464), CECC 00802, UL (E91231), VDE 0884
Řada
MOC
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
The MOC8101/2/3/4/G series are constructed from a Gallium Arsenide Infrared Emitting Diode optically coupled to a monolithic silicon photo transistor detector. They have been designed and specified to meet the requirements of switchmode power supplies and other applications requiring very closely matched current transfer ratios (CTR), linearity and stable performance over the temperature range. The internal base-to-pin 6 connection has been eliminated for improved noise immunity. Surface Mount Option Available.
