Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp produktu
Bipolar Transistor
Maximální stejnosměrný kolektorový proud Idc
800mA
Maximální napětí kolektoru Vceo
50V dc
Typ balení
UBC
Typ montáže
Surface
Betriebstemperatur min.
-55°C
Polarita tranzistoru
NPN
Maximální pracovní teplota
200°C
Počet kolíků
3
Normy/schválení
No
Řada
2N2222A
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Microchip Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistor is a 3 pin small signal BJT designed for high reliability applications in radiation prone environments. With a voltage rating of 40V, current capacity of 800mA, and power dissipation of 500mW, it provides efficient switching performance. This transistor is specifically engineered to withstand radiation exposure, making it ideal for use in space, military, and other demanding applications where durability and stable operation are critical.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 254,60
€ 5,196 Each (In a Box of 49) (bez DPH)
49
€ 254,60
€ 5,196 Each (In a Box of 49) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
49
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp produktu
Bipolar Transistor
Maximální stejnosměrný kolektorový proud Idc
800mA
Maximální napětí kolektoru Vceo
50V dc
Typ balení
UBC
Typ montáže
Surface
Betriebstemperatur min.
-55°C
Polarita tranzistoru
NPN
Maximální pracovní teplota
200°C
Počet kolíků
3
Normy/schválení
No
Řada
2N2222A
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Microchip Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistor is a 3 pin small signal BJT designed for high reliability applications in radiation prone environments. With a voltage rating of 40V, current capacity of 800mA, and power dissipation of 500mW, it provides efficient switching performance. This transistor is specifically engineered to withstand radiation exposure, making it ideal for use in space, military, and other demanding applications where durability and stable operation are critical.