Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp produktu
Jednoduché tranzistory MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
115mA
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Typ balení
SOT-23
Řada
2N7002
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
7.5Ω
Režim kanálu
Enhancement
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální ztrátový výkon Pd
0.36W
Typický náboj brány Qg @ Vgs
30nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30V
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
1.12mm
Länge
2.9mm
Normy/schválení
Lead (Pb)-free/RoHS
Šířka
1.3mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
The Microchip N-Channel a low-threshold, Enhancement-mode (normally-off) transistor that uses a vertical DMOS structure and a well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3,43
€ 0,343 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 3,43
€ 0,343 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
| Množstvo | Jednotková cena | Páska |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,343 | € 3,43 |
| 100 - 490 | € 0,302 | € 3,02 |
| 500 - 990 | € 0,271 | € 2,71 |
| 1000+ | € 0,263 | € 2,63 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp produktu
Jednoduché tranzistory MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
115mA
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Typ balení
SOT-23
Řada
2N7002
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
7.5Ω
Režim kanálu
Enhancement
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální ztrátový výkon Pd
0.36W
Typický náboj brány Qg @ Vgs
30nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30V
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
1.12mm
Länge
2.9mm
Normy/schválení
Lead (Pb)-free/RoHS
Šířka
1.3mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
The Microchip N-Channel a low-threshold, Enhancement-mode (normally-off) transistor that uses a vertical DMOS structure and a well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
