Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipVelikost paměti
64kB
Typ produktu
Paralelní EEPROM
Typ rozhraní
Parallel
Gehäusegröße
PLCC
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
32
Maximální frekvence hodin
5MHz
Organizace
8K x 8 bit
Minimální napájecí napětí
4.5V
Počet bitů na slovo
8
Maximální napájecí napětí
5.5V
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální pracovní teplota
85°C
Länge
12.5mm
Normy/schválení
No
Breite
15mm
Řada
AT28HC64B
Zachování dat
10year
Napájecí proud
40mA
Maximální čas náhodného přístupu
70ns
Automobilový standard
No
Počet slov
8192
Podrobnosti o výrobku
The Microchip AT28HC64B is a high-performance 64Kbit Parallel EEPROM offering access times to 55ns with power dissipation of 220mW. Deselected, CMOS standby current is less than 100μA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 204,67
€ 6,396 Each (In a Tube of 32) (bez DPH)
32
€ 204,67
€ 6,396 Each (In a Tube of 32) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
32
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 32 - 96 | € 6,396 | € 204,67 |
| 128+ | € 6,218 | € 198,98 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipVelikost paměti
64kB
Typ produktu
Paralelní EEPROM
Typ rozhraní
Parallel
Gehäusegröße
PLCC
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
32
Maximální frekvence hodin
5MHz
Organizace
8K x 8 bit
Minimální napájecí napětí
4.5V
Počet bitů na slovo
8
Maximální napájecí napětí
5.5V
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální pracovní teplota
85°C
Länge
12.5mm
Normy/schválení
No
Breite
15mm
Řada
AT28HC64B
Zachování dat
10year
Napájecí proud
40mA
Maximální čas náhodného přístupu
70ns
Automobilový standard
No
Počet slov
8192
Podrobnosti o výrobku
The Microchip AT28HC64B is a high-performance 64Kbit Parallel EEPROM offering access times to 55ns with power dissipation of 220mW. Deselected, CMOS standby current is less than 100μA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.