Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
140A
Maximální napětí na zdroji Vds
12V
Typ balení
TO-247
Řada
MSC035SMA070B4
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
8Ω
Typický náboj brány Qg @ Vgs
99nC
Maximální ztrátový výkon Pd
1.6W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální napětí zdroje brány Vgs
2V
Přímé napětí Vf
1.8V
Maximální pracovní teplota
175°C
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 45,85
€ 9,17 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
€ 45,85
€ 9,17 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
5
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 5 - 9 | € 9,17 |
| 10 - 99 | € 8,99 |
| 100+ | € 8,59 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
MicrochipTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
140A
Maximální napětí na zdroji Vds
12V
Typ balení
TO-247
Řada
MSC035SMA070B4
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
8Ω
Typický náboj brány Qg @ Vgs
99nC
Maximální ztrátový výkon Pd
1.6W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální napětí zdroje brány Vgs
2V
Přímé napětí Vf
1.8V
Maximální pracovní teplota
175°C
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high voltage applications.