Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Bipolární tranzistor
Maximální stejnosměrný kolektorový proud Idc
10A
Maximální napětí kolektoru Vceo
50V
Gehäusegröße
SOT-223
Typ montáže
Surface
Konfigurace tranzistoru
Single
Polarita tranzistoru
NPN
Minimální zisk stejnosměrného proudu hFE
100
Maximální základní napětí emitoru VEBO
5V
Minimální provozní teplota
-65°C
Maximální přechodová frekvence ft
1MHz
Maximální ztrátový výkon Pd
1.4W
Počet kolíků
4
Maximální provozní teplota
150°C
Länge
6.7mm
Výška
1.8mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The 2STF1550 and 2STN1550 are NPN transistors manufactured using new PB-HCD (Power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 13,12
€ 0,525 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 13,12
€ 0,525 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
25
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,525 | € 13,12 |
| 250 - 600 | € 0,472 | € 11,80 |
| 625+ | € 0,387 | € 9,67 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Bipolární tranzistor
Maximální stejnosměrný kolektorový proud Idc
10A
Maximální napětí kolektoru Vceo
50V
Gehäusegröße
SOT-223
Typ montáže
Surface
Konfigurace tranzistoru
Single
Polarita tranzistoru
NPN
Minimální zisk stejnosměrného proudu hFE
100
Maximální základní napětí emitoru VEBO
5V
Minimální provozní teplota
-65°C
Maximální přechodová frekvence ft
1MHz
Maximální ztrátový výkon Pd
1.4W
Počet kolíků
4
Maximální provozní teplota
150°C
Länge
6.7mm
Výška
1.8mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The 2STF1550 and 2STN1550 are NPN transistors manufactured using new PB-HCD (Power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
