Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Pole MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
30A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
ACEPACK DMT-32
Řada
M2TP80M12W2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
32
Maximální odpor zdroje Rds
114mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Betriebstemperatur min.
-40°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
63nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22V
Přímé napětí Vf
1.10V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
5.9mm
Länge
44.5mm
Normy/schválení
AQG 324
Šířka
27.9mm
Počet prvků na čip
8
Automobilový standard
AEC
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-efficiency, automotive-grade power module built in the ACEPACK DMT-32 package. It implements a 3-phase four-wire power factor correction (PFC) topology using six second-generation silicon carbide (SiC) MOSFETs and two rectifier diodes. Designed for the PFC stage of on-board chargers (OBCs) in electric and hybrid vehicles, it offers a compact, thermally optimized solution with integrated temperature sensing.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 44,34
€ 44,34 Each (bez DPH)
1
€ 44,34
€ 44,34 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 4 | € 44,34 |
| 5+ | € 43,01 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Pole MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
30A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
ACEPACK DMT-32
Řada
M2TP80M12W2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
32
Maximální odpor zdroje Rds
114mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Betriebstemperatur min.
-40°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
63nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22V
Přímé napětí Vf
1.10V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
5.9mm
Länge
44.5mm
Normy/schválení
AQG 324
Šířka
27.9mm
Počet prvků na čip
8
Automobilový standard
AEC
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-efficiency, automotive-grade power module built in the ACEPACK DMT-32 package. It implements a 3-phase four-wire power factor correction (PFC) topology using six second-generation silicon carbide (SiC) MOSFETs and two rectifier diodes. Designed for the PFC stage of on-board chargers (OBCs) in electric and hybrid vehicles, it offers a compact, thermally optimized solution with integrated temperature sensing.