Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P, Typ N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
6.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
QFN-9
Řada
MASTERG
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
31
Maximální odpor zdroje Rds
300mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
1.5nC
Maximální ztrátový výkon Pd
40mW
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
125°C
Länge
9mm
Výška
1mm
Normy/schválení
RoHS, ECOPACK
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Microcontroller is an advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have RDS(ON) of 225 mΩ, 650 V drain‑source blocking voltage, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 5,18
€ 5,18 Each (bez DPH)
1
€ 5,18
€ 5,18 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,18 |
| 10 - 24 | € 4,66 |
| 25 - 99 | € 4,60 |
| 100 - 249 | € 4,54 |
| 250+ | € 4,49 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P, Typ N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
6.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
QFN-9
Řada
MASTERG
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
31
Maximální odpor zdroje Rds
300mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
1.5nC
Maximální ztrátový výkon Pd
40mW
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
125°C
Länge
9mm
Výška
1mm
Normy/schválení
RoHS, ECOPACK
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Microcontroller is an advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have RDS(ON) of 225 mΩ, 650 V drain‑source blocking voltage, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
