Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
7A
Maximální napětí na zdroji Vds
65V
Řada
PD5
Gehäusegröße
PowerSO-10RF
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
10
Maximální odpor zdroje Rds
0.76Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Maximální ztrátový výkon Pd
79W
Minimální provozní teplota
65°C
Maximální pracovní teplota
165°C
Normy/schválení
ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS
Breite
9.6mm
Länge
14.35mm
Höhe
3.6mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics RF power transistor is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power MOSFET. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of STs latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. Devices superior linearity performance makes it an ideal solution for base station applications. The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performances and ease of assembly. Mounting recommendations are available in www.st.com/rf/ (look for application note AN1294).
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 58,68
€ 58,68 Each (bez DPH)
1
€ 58,68
€ 58,68 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 58,68 |
| 10+ | € 52,81 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
7A
Maximální napětí na zdroji Vds
65V
Řada
PD5
Gehäusegröße
PowerSO-10RF
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
10
Maximální odpor zdroje Rds
0.76Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Maximální ztrátový výkon Pd
79W
Minimální provozní teplota
65°C
Maximální pracovní teplota
165°C
Normy/schválení
ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS
Breite
9.6mm
Länge
14.35mm
Höhe
3.6mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics RF power transistor is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power MOSFET. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of STs latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. Devices superior linearity performance makes it an ideal solution for base station applications. The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performances and ease of assembly. Mounting recommendations are available in www.st.com/rf/ (look for application note AN1294).
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
