Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Dual N
Maximální napětí na zdroji Vds
95V
Typ balení
LBB
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
5
Maximální odpor zdroje Rds
1Ω
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální napětí zdroje brány Vgs
10V
Maximální pracovní teplota
150°C
Länge
28.95mm
Höhe
2.1mm
Normy/schválení
2002/95/EC
Šířka
5.85mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, designed for broadband commercial communications, TV broadcast, avionics and industrial applications with frequencies from HF to 1.5 GHz. It can be used in class AB/B and class C for all typical modulation formats.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 17 759,89
€ 177,599 Each (On a Reel of 100) (bez DPH)
100
€ 17 759,89
€ 177,599 Each (On a Reel of 100) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
100
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Dual N
Maximální napětí na zdroji Vds
95V
Typ balení
LBB
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
5
Maximální odpor zdroje Rds
1Ω
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální napětí zdroje brány Vgs
10V
Maximální pracovní teplota
150°C
Länge
28.95mm
Höhe
2.1mm
Normy/schválení
2002/95/EC
Šířka
5.85mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, designed for broadband commercial communications, TV broadcast, avionics and industrial applications with frequencies from HF to 1.5 GHz. It can be used in class AB/B and class C for all typical modulation formats.