Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Dual N
Typ produktu
MOSFET
Maximální napětí na zdroji Vds
95V
Typ balení
LBB
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
5
Maximální odpor zdroje Rds
1Ω
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální napětí zdroje brány Vgs
10V
Betriebstemperatur max.
150°C
Délka
28.95mm
Normy/schválení
2002/95/EC
Šířka
5.85mm
Höhe
2.1mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, designed for broadband commercial communications, TV broadcast, avionics and industrial applications with frequencies from HF to 1.5 GHz. It can be used in class AB/B and class C for all typical modulation formats.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 177,02
€ 177,02 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 177,02
€ 177,02 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 177,02 |
| 10 - 99 | € 173,92 |
| 100+ | € 171,79 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Dual N
Typ produktu
MOSFET
Maximální napětí na zdroji Vds
95V
Typ balení
LBB
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
5
Maximální odpor zdroje Rds
1Ω
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální napětí zdroje brány Vgs
10V
Betriebstemperatur max.
150°C
Délka
28.95mm
Normy/schválení
2002/95/EC
Šířka
5.85mm
Höhe
2.1mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics 120 W LDMOS FET, designed for broadband commercial communications, TV broadcast, avionics and industrial applications with frequencies from HF to 1.5 GHz. It can be used in class AB/B and class C for all typical modulation formats.