Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Napájecí modul SiC
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
Hip-247
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.52Ω
Režim kanálu
Depletion
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
4.3V
Maximální pracovní teplota
200°C
Höhe
34.95mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
No
Šířka
5.15mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Štandardný
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Napájecí modul SiC
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
Hip-247
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.52Ω
Režim kanálu
Depletion
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
4.3V
Maximální pracovní teplota
200°C
Höhe
34.95mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
No
Šířka
5.15mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
