Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Napájecí modul SiC
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
16A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
Hip-247
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.52Ω
Režim kanálu
Depletion
Maximální ztrátový výkon Pd
153W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
45nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
3.6V
Maximální pracovní teplota
200°C
Höhe
15.8mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Šířka
4.7mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 379,09
€ 379,09 1 Tube of 30 (bez DPH)
1
€ 379,09
€ 379,09 1 Tube of 30 (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Napájecí modul SiC
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
16A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
Hip-247
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.52Ω
Režim kanálu
Depletion
Maximální ztrátový výkon Pd
153W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
45nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
3.6V
Maximální pracovní teplota
200°C
Höhe
15.8mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Šířka
4.7mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
