Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
Napájecí modul SiC
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
16A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
Hip-247
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.52Ω
Režim kanálu
Depletion
Maximální ztrátový výkon Pd
153W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
45nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
3.6V
Maximální pracovní teplota
200°C
Höhe
15.8mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Šířka
4.7mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 12,09
€ 12,09 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 12,09
€ 12,09 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 12,09 |
| 10 - 1199 | € 11,94 |
| 1200+ | € 11,79 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
Napájecí modul SiC
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
16A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
Hip-247
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.52Ω
Režim kanálu
Depletion
Maximální ztrátový výkon Pd
153W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
45nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
3.6V
Maximální pracovní teplota
200°C
Höhe
15.8mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Šířka
4.7mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.