Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
65A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
Hip-247
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.59Ω
Režim kanálu
Depletion
Typický náboj brány Qg @ Vgs
122nC
Maximální ztrátový výkon Pd
318W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Přímé napětí Vf
3.5V
Maximální provozní teplota
200°C
Délka
15.75mm
Výška
34.95mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 889,38
€ 29,646 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 889,38
€ 29,646 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
65A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
Hip-247
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.59Ω
Režim kanálu
Depletion
Typický náboj brány Qg @ Vgs
122nC
Maximální ztrátový výkon Pd
318W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Přímé napětí Vf
3.5V
Maximální provozní teplota
200°C
Délka
15.75mm
Výška
34.95mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
