Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Moduly MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
33A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
H2PAK-7
Řada
SCT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
0.105Ω
Režim kanálu
Depletion
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Moduly MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
33A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
H2PAK-7
Řada
SCT
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
0.105Ω
Režim kanálu
Depletion
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
