Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
116A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
H2PAK
Řada
SCTH90
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
24mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
484W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
157nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
10.4mm
Länge
15.25mm
Normy/schválení
No
Breite
4.8mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 116A and drain to source resistance 18m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 23 716,66
€ 23,717 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 23 716,66
€ 23,717 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
116A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
H2PAK
Řada
SCTH90
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
24mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
484W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
157nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
10.4mm
Länge
15.25mm
Normy/schválení
No
Breite
4.8mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 116A and drain to source resistance 18m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.