Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
36A
Maximální napětí na zdroji Vds
1.2kV
Typ balení
Hip-247
Řada
SCTW40N
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
700mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
278W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
13nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22V
Přímé napětí Vf
3.3V
Maximální pracovní teplota
175°C
Délka
15.75mm
Höhe
20.15mm
Normy/schválení
No
Šířka
5.15mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 424,74
€ 14,158 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 424,74
€ 14,158 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
36A
Maximální napětí na zdroji Vds
1.2kV
Typ balení
Hip-247
Řada
SCTW40N
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
700mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
278W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
13nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
22V
Přímé napětí Vf
3.3V
Maximální pracovní teplota
175°C
Délka
15.75mm
Höhe
20.15mm
Normy/schválení
No
Šířka
5.15mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.