Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
Hip-247
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
73mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
94nC
Maximální ztrátový výkon Pd
389W
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
3V
Maximální provozní teplota
200°C
Délka
34.8mm
Výška
5mm
Normy/schválení
UL
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. It can be used in Switching mode power supply, DC-DC converters and Industrial motor control.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 23,42
€ 23,42 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 23,42
€ 23,42 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 23,42 |
| 10 - 24 | € 22,84 |
| 25+ | € 22,33 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
60A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
Hip-247
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
73mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
94nC
Maximální ztrátový výkon Pd
389W
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
3V
Maximální provozní teplota
200°C
Délka
34.8mm
Výška
5mm
Normy/schválení
UL
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using STs advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. It can be used in Switching mode power supply, DC-DC converters and Industrial motor control.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
