Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Moduly MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
45A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
Hip-247
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.09Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Štandardný
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Moduly MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
45A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
Hip-247
Řada
SCT
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.09Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
