řada: STripFET H7MOSFET STB100N10F7 N-kanálový 80 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
STripFET H7
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
61 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
4.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 73,55
€ 2,942 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 73,55
€ 2,942 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
25
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 2,942 | € 14,71 |
| 50 - 120 | € 2,648 | € 13,24 |
| 125 - 245 | € 2,384 | € 11,92 |
| 250+ | € 2,26 | € 11,30 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
STripFET H7
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
61 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
4.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products