řada: STripFET F7MOSFET STB100N6F7 N-kanálový 100 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 906-4668Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STB100N6F7
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

STripFET F7

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

5.6 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

9.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

12,6 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.6mm

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics

Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 8,93

€ 1,786 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: STripFET F7MOSFET STB100N6F7 N-kanálový 100 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 5
5€ 8,93
10€ 17,86
15€ 26,79
20€ 35,72
25€ 44,65
30€ 53,58
35€ 62,51
40€ 71,44
45€ 80,37
50€ 89,30
55€ 98,23
60€ 107,16
65€ 116,09
70€ 125,02
75€ 133,95

€ 8,93

€ 1,786 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: STripFET F7MOSFET STB100N6F7 N-kanálový 100 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 5
5€ 8,93
10€ 17,86
15€ 26,79
20€ 35,72
25€ 44,65
30€ 53,58
35€ 62,51
40€ 71,44
45€ 80,37
50€ 89,30
55€ 98,23
60€ 107,16
65€ 116,09
70€ 125,02
75€ 133,95

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

STripFET F7

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

5.6 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

9.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

12,6 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.6mm

Propustné napětí diody

1.2V

Podrobnosti o výrobku

N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics

Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more