Ne, řada: STripFET F7 MOSFET STB100N6F7 Typ N-kanálový 100 A 60 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
100A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Typ balení
TO-263
Řada
STripFET F7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
5.6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
125W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
12.6nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 8,93
€ 1,786 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 8,93
€ 1,786 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
100A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Typ balení
TO-263
Řada
STripFET F7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
5.6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
125W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
12.6nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products