Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
100A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Řada
STripFET F7
Typ balení
TO-263
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
5.6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Maximální ztrátový výkon Pd
125W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
12.6nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
175°C
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Šířka
9.35mm
Výška
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 8,93
€ 1,786 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 8,93
€ 1,786 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,786 | € 8,93 |
| 50 - 245 | € 1,454 | € 7,27 |
| 250 - 495 | € 1,108 | € 5,54 |
| 500+ | € 0,982 | € 4,91 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
100A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Řada
STripFET F7
Typ balení
TO-263
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
5.6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Maximální ztrátový výkon Pd
125W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
12.6nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
175°C
Délka
10.4mm
Normy/schválení
No
Šířka
9.35mm
Výška
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.