Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
100A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET F7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
5.6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
125W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
12.6nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Výška
4.6mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 72,70
€ 1,454 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 72,70
€ 1,454 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
50
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,454 | € 7,27 |
| 250 - 495 | € 1,108 | € 5,54 |
| 500+ | € 0,982 | € 4,91 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
100A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STripFET F7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
5.6mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
125W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
12.6nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Výška
4.6mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.