Ne, řada: STripFET II MOSFET STB30NF10T4 Typ N-kanálový 35 A 100 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
35A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Maximální ztrátový výkon Pd
115W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
40nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 8,22
€ 1,644 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 8,22
€ 1,644 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,644 | € 8,22 |
| 10+ | € 1,562 | € 7,81 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
35A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Typ balení
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Maximální ztrátový výkon Pd
115W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
40nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
9.35 mm
Výška
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products