Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
25A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-263
Řada
ST
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.115Ω
Režim kanálu
Depletion
Maximální ztrátový výkon Pd
190W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
35nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Betriebstemperatur max.
150°C
Höhe
15.85mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
NF ISO 691, NF ISO 1711-1, NF ISO 3318, NF ISO 7738, DIN 3113, ISO 691, ISO 3318, ISO 1711-1, DIN ISO 1711-1, DIN ISO 691
Šířka
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3 133,67
€ 3,134 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 3 133,67
€ 3,134 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
25A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-263
Řada
ST
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.115Ω
Režim kanálu
Depletion
Maximální ztrátový výkon Pd
190W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
35nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Betriebstemperatur max.
150°C
Höhe
15.85mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
NF ISO 691, NF ISO 1711-1, NF ISO 3318, NF ISO 7738, DIN 3113, ISO 691, ISO 3318, ISO 1711-1, DIN ISO 1711-1, DIN ISO 691
Šířka
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
