Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
25A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-263
Řada
ST
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.115Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální ztrátový výkon Pd
190W
Typický náboj brány Qg @ Vgs
35nC
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Délka
10.4mm
Höhe
15.85mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3 133,67
€ 3,134 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 3 133,67
€ 3,134 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
25A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-263
Řada
ST
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.115Ω
Režim kanálu
Vyčerpání
Maximální ztrátový výkon Pd
190W
Typický náboj brány Qg @ Vgs
35nC
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Délka
10.4mm
Höhe
15.85mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.