Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STB37N60
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
94mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Typický náboj brány Qg @ Vgs
54nC
Maximální ztrátový výkon Pd
210W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
15.85mm
Výška
4.6mm
Normy/schválení
AEC-Q101
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3 944,87
€ 3,945 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 3 944,87
€ 3,945 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
STB37N60
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
94mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Typický náboj brány Qg @ Vgs
54nC
Maximální ztrátový výkon Pd
210W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
15.85mm
Výška
4.6mm
Normy/schválení
AEC-Q101
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.