Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
35A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
78mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
210W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
82nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
9.35mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 43,70
€ 4,37 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 43,70
€ 4,37 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 99 | € 4,37 |
| 100 - 999 | € 4,29 |
| 1000+ | € 4,24 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
35A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
TO-263
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
78mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
210W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
82nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
9.35mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.