Ne, řada: STripFET II MOSFET STB55NF06LT4 Typ N-kanálový 55 A 60 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Typ balení
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
20mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
95W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
16 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
27nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
10.4 mm
Výška
4.6mm
Normy/schválení
No
Délka
10.75mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 9,24
€ 1,848 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 9,24
€ 1,848 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,848 | € 9,24 |
| 10+ | € 1,756 | € 8,78 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Typ balení
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
20mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
95W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
16 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
27nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
175°C
Breite
10.4 mm
Výška
4.6mm
Normy/schválení
No
Délka
10.75mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products