Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
55V
Gehäusegröße
TO-263
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
6.5mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
142nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
4.37mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
9.35mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 142,40
€ 1,142 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 1 142,40
€ 1,142 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 1,142 | € 1 142,40 |
| 2000+ | € 1,054 | € 1 053,61 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
55V
Gehäusegröße
TO-263
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
6.5mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
142nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
4.37mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Breite
9.35mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
