Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
55V
Typ balení
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
7mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
100nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-16, +16V
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Šířka
9.35mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 21,60
€ 1,08 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 21,60
€ 1,08 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
20
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 20 - 48 | € 1,08 | € 2,16 |
| 50 - 198 | € 1,055 | € 2,11 |
| 200+ | € 0,99 | € 1,98 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
55V
Typ balení
TO-263
Řada
STripFET II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
7mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
100nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-16, +16V
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální pracovní teplota
175°C
Höhe
4.6mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
No
Šířka
9.35mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
