Ne, řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
61nC
Maximální ztrátový výkon Pd
120W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3 141,66
€ 1,257 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 3 141,66
€ 1,257 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
80A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
8mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
61nC
Maximální ztrátový výkon Pd
120W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products