Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
10A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Typ balení
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
420mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
16.5nC
Maximální pracovní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Šířka
6.2mm
Délka
6.6mm
Höhe
2.17mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 047,55
€ 0,819 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 2 047,55
€ 0,819 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
10A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Typ balení
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
420mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
16.5nC
Maximální pracovní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Šířka
6.2mm
Délka
6.6mm
Höhe
2.17mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.