Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
10A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
420mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
16.5nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
2.17mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
No
Breite
6.2mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 047,55
€ 0,819 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 2 047,55
€ 0,819 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
10A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
420mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
16.5nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
2.17mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
No
Breite
6.2mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.