Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
7A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
680mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální ztrátový výkon Pd
85W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
100nC
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Länge
6.6mm
Výška
2.17mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 993,79
€ 0,798 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 993,79
€ 0,798 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
7A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
680mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální ztrátový výkon Pd
85W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
100nC
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Länge
6.6mm
Výška
2.17mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.