Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Řada
MDmesh II
Typ balení
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.36Ω
Režim kanálu
Enhancement
Typický náboj brány Qg @ Vgs
27nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální pracovní teplota
150°C
Länge
10.1mm
Normy/schválení
RoHS
Šířka
6.6mm
Höhe
2.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 241,60
€ 0,897 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 2 241,60
€ 0,897 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Řada
MDmesh II
Typ balení
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.36Ω
Režim kanálu
Enhancement
Typický náboj brány Qg @ Vgs
27nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální pracovní teplota
150°C
Länge
10.1mm
Normy/schválení
RoHS
Šířka
6.6mm
Höhe
2.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.