Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-252
Řada
MDmesh II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.36Ω
Režim kanálu
Enhancement
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
27nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
2.4mm
Länge
10.1mm
Normy/schválení
RoHS
Šířka
6.6mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 17,52
€ 3,504 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 17,52
€ 3,504 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Páska |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,504 | € 17,52 |
| 50 - 120 | € 3,022 | € 15,11 |
| 125+ | € 2,368 | € 11,84 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-252
Řada
MDmesh II
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.36Ω
Režim kanálu
Enhancement
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
27nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
2.4mm
Länge
10.1mm
Normy/schválení
RoHS
Šířka
6.6mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
