Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
338mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
15.3nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Šířka
6.2mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 491,00
€ 0,996 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 2 491,00
€ 0,996 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
338mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
15.3nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Šířka
6.2mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.