Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
338mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
15.3nC
Maximální pracovní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Breite
6.2mm
Höhe
2.4mm
Länge
6.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 491,00
€ 0,996 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 2 491,00
€ 0,996 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
338mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
15.3nC
Maximální pracovní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Breite
6.2mm
Höhe
2.4mm
Länge
6.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
