Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
340mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
85W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
22nC
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 8,69
€ 1,738 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 8,69
€ 1,738 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,738 | € 8,69 |
| 50 - 245 | € 1,68 | € 8,40 |
| 250 - 495 | € 1,628 | € 8,14 |
| 500+ | € 1,412 | € 7,06 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
340mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
85W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
22nC
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
2.4mm
Délka
6.6mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.