Ne, řada: MDmesh M2 MOSFET STD16N60M2 Typ N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
MDmesh M2
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
320mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
19nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 5,81
€ 1,162 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 5,81
€ 1,162 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
MDmesh M2
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
320mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
19nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
6.6mm
Normy/schválení
No
Breite
6.2 mm
Výška
2.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products