Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
15A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
220mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
31nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 118,70
€ 2,374 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 118,70
€ 2,374 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
50
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,374 | € 11,87 |
| 125+ | € 2,25 | € 11,25 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
15A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
TO-252
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
220mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
110W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
31nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
2.4mm
Länge
6.6mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.