Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4A
Maximální napětí na zdroji Vds
800V
Typ balení
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
1.73Ω
Režim kanálu
Enhancement
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30V
Přímé napětí Vf
1.5V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
5nC
Maximální ztrátový výkon Pd
60W
Maximální pracovní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Šířka
6.2mm
Höhe
2.17mm
Länge
6.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 932,89
€ 0,773 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 932,89
€ 0,773 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | € 0,773 | € 1 932,89 |
| 5000+ | € 0,724 | € 1 810,91 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4A
Maximální napětí na zdroji Vds
800V
Typ balení
TO-252
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
1.73Ω
Režim kanálu
Enhancement
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30V
Přímé napětí Vf
1.5V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
5nC
Maximální ztrátový výkon Pd
60W
Maximální pracovní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Šířka
6.2mm
Höhe
2.17mm
Länge
6.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
