Ne, řada: MDmesh M2 MOSFET Typ N-kanálový 4.5 A 650 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Typ balení
TO-252
Řada
MDmesh M2
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
1.2Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.6V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
8nC
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální ztrátový výkon Pd
60W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Délka
6.6mm
Výška
2.4mm
Breite
6.2 mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 633,51
€ 0,653 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 633,51
€ 0,653 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Typ balení
TO-252
Řada
MDmesh M2
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
1.2Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.6V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
8nC
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální ztrátový výkon Pd
60W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Délka
6.6mm
Výška
2.4mm
Breite
6.2 mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products